فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها



گروه تخصصی











متن کامل


نویسندگان: 

BURNS J.R.

نشریه: 

RCA REVIEW

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1964
  • دوره: 

    25
  • شماره: 

    -
  • صفحات: 

    627-661
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    254
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 254

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    19
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    21-30
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    17
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

1عملکرد مبدل های دیجیتال به آنالوگ هدایت جریانی، بخاطر عدم انطباق طول و عرض ترانزیستورها و اختلاف ولتاژ آستانه و ولتاژ ارلی آنها که ناشی از خطای پروسه ساخت است، محدود می گردد. هر چند روش های مختلفی برای تعدیل خطاهای ناشی از عدم انطباق المانها وجود دارد، اما این خطا به طور کامل قابل حذف نیست. در این مقاله تکنیک ترانزیستورهای MOS توزیع شده با قابلیت تسهیل پیاده سازی تطبیق پویای عناصر در مبدل دیجیتال به آنالوگ باینری ارائه شده است به نحوی که بدون نیاز به توان مصرفی بالا و پیچیدگی مداری زیاد امکان کاهش خطای ناشی از عدم انطباق ترانزیستورها و نیز خطای ناشی از تغییرات ولتاژ بار را فراهم آورده است. این تکنیک بر مبنای انتخاب تصادفی از میان تعداد معینی از بلوک های جریان واحد عمل می کند، برای تصادفی تر کردن هر چه بیشترکد تولیدی از یک مولد کد تصادفی و تمام جمع کننده به همراه رمزگشای 4 به 16 استفاده شده است. این تکنیک در ساختار مبدل دیجیتال به آنالوگ 10 بیتی باینری با تکنولوژی 180 نانو متر CMOS پیاده سازی شده است، جریان LSB 500 نانوآمپر و ولتاژ تغذیه 8/1 ولت و توان مصرفی این مبدل mW6/14 و شاخص SFDR مبدل با شبیه سازی تحت نرم افزار Cadence Spectre  27/60 دسیبل به دست آمده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 17

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2018
  • دوره: 

    9
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    32-40
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    297
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

In this article, a new structure is presented for MOS (Metal Oxide Semiconductor)-like junctionless carbon nanotube field effect Transistor (MOS-like J-CNTFET), in which dual material gate with different workfunctions are used. In the aforementioned structure, the size of the gates near the source and the drain are 14 and 6 nm, respectively, and the work-functions are equal and 0.5 eV less than the work-function of the intrinsic carbon nanotube. The simulation is carried out in the ballistic regime using the non-equilibrium Green’s function (NEGF) in the mode space approach. The simulation results show that the proposed structure has a better am-bipolar behavior and less OFF current compared to a conventional junctionless structure with the same dimensions. In the new structure, the hot carrier effect is also reduced due to the reduced electric field near the drain, and with regard to a peak in the electric field curve at the junction of two gates, the gate control on the channel will be increased.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 297

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 1
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1393
  • دوره: 

    6
تعامل: 
  • بازدید: 

    659
  • دانلود: 

    347
کلیدواژه: 
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 659

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 347
نویسندگان: 

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2018
  • دوره: 

    39
  • شماره: 

    10
  • صفحات: 

    1497-1499
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    89
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 89

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

GULTEPE N. | SALNUR S.

نشریه: 

AQUACULTURE NUTRITION

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2010
  • دوره: 

    17
  • شماره: 

    -
  • صفحات: 

    482-487
تعامل: 
  • استنادات: 

    2
  • بازدید: 

    162
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 162

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 2 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2014
  • دوره: 

    20
تعامل: 
  • بازدید: 

    170
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

IN THIS STUDY, FOR THE FIRST TIME, WE INTRODUCE A SIMPLE AND LOW COST PH SENSOR BASED ON A COMMERCIAL FIELD EFFECT Transistor (FET). THE Transistor WAS MECHANICALLY TREATED, ISOLATED AND USED AS AN ION SENSITIVE FIELD EFFECT Transistor (ISFET) [1] FOR PH DETECTION, AFTER ELECTRODEPOSITION OF THE SENSING MEMBRANE ON ITS SURFACE. POLYPYRROLE, AS A SUITABLE SENSING MEMBRANE, WAS ELECTRODEPOSITED ON THE OF Transistor FROM A SOLUTION CONTAINING PYRROLE MONOMER, HYDROQUINONE MONOSULFONATE [2] AS A PROPER LIGAND AND SODIUM SALICYLATE FOR AVOIDING THE SUBSTRATE OXIDATION, UNDER A TWO-STEP DEPOSITION CONDITIONS. THE PREPARED SENSOR SHOWED A NEAR-NERNSTIAN RESPONSE OF 52.3 MV PH-1 OVER A LINEAR PH RANGE OF 2.75-12.20, AN ULTRA LOW HYSTERESIS OF 0.56 MV, A VERY LOW DRIFT OF 0.14 MV H-1 AND A LOW RESPONSE TIME OF LESS THAN 8 S.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 170

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1384
  • دوره: 

    0
تعامل: 
  • بازدید: 

    410
  • دانلود: 

    311
کلیدواژه: 
چکیده: 

تغییر مقیاس ترانزیستورهای MPSFET به منظور بهبود عملکرد ترانزیستور MOS و کاهش هزینه ساخت آن انجام می شود. با کاهش ابعاد، آثار کانال کوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL که قبلا در ترانزیستورهای کانال طویل به چشم نمی آمدند اهمیت می یابند، که موجب اختلال در عملکرد ترانزیستور می شوند. یکی از روشها برای از بین بردن آثار کانال کوتاه ایجاد آلایش هاله کون و تبدیل ناخالصی بستر است. ترانزیستوری با طول کانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر آثار کانال کوتاه را بهبود می دهیم.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 410

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 311
نویسندگان: 

LORENZ L. | KNAPP A. | MARZ M.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1998
  • دوره: 

    -
  • شماره: 

    -
  • صفحات: 

    3-10
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    183
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 183

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

Ghazi Nader Dina | Aghayari Reza

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1402
  • دوره: 

    53
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    168-178
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    105
  • دانلود: 

    18
چکیده: 

Plastic hinge properties play a crucial role in predicting the nonlinear response of structural elements. The plastic hinge region of reinforced concrete normal beams has been previously studied experimentally and analytically. The main objective of this research is to evaluate the behavior of the plastic hinge region of reinforced concrete deep beams and its comparison with normal beams through finite element simulation. To do so, ten beams contain six deep beams, and four normal beams, under concentrated and uniformly Distributed loading, are investigated. Lengths in the plastic hinge region involving curvature localization, rebar yielding, and concrete crushing zones are studied. The results indicate that the curvature localization zone is not suitable for the prediction of plastic hinge length in reinforced concrete deep beams. Based on the results it can be stated that in simply supported normal beams the concrete crushing zone is focused on the middle span, but in simply supported deep beams by creating a compression strut between loading place and support, the concrete crushing zone spreads along the compression trajectory. The rebar yielding zone of simply supported beams increases as the loading type is changed from the concentrated load at the middle to the uniformly Distributed load.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 105

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 18 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button